MOSFET

Descripción del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM50N06PA: Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de entrada de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET presenta un bajo consumo de energía durante su aplicación, lo que también mejora su fiabilidad y durabilidad.

Descripción del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM45N06PA: Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de entrada de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET presenta un bajo consumo de energía durante su aplicación, lo que también mejora su fiabilidad y durabilidad.

Descripción del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM30N20PK: Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de entrada de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET presenta un bajo consumo de energía durante su uso, lo que también mejora su fiabilidad y durabilidad.

Descripción del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM40N10PA: Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de entrada de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET presenta un bajo consumo de energía durante su uso, lo que también mejora su fiabilidad y durabilidad.

Descripción del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM40N10PK: Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de entrada de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por ello, este MOSFET presenta un bajo consumo de energía durante su uso, lo que también mejora su fiabilidad y durabilidad.

Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET tiene un bajo consumo de energía durante su aplicación, lo que también mejora su confiabilidad y durabilidad.

El RVS35N60PN es un MOSFET de potencia de alto voltaje con modo de mejora de canal, fabricado con tecnología DP MOS de Rongtech. Ofrece bajas pérdidas de conducción y de conmutación. Facilita el diseño de convertidores de potencia con alta eficiencia, alta densidad de potencia y un comportamiento térmico superior. Además, es universalmente aplicable, es decir, apto para topologías de conmutación dura y suave.

El RVS24N60F/PT es un MOSFET de potencia de alto voltaje con canal N en modo de mejora, fabricado con la nueva plataforma de tecnología MOS de Rongtech. Ofrece bajas pérdidas de conducción y de conmutación. Facilita a los ingenieros de diseño la creación de convertidores de potencia con alta eficiencia, alta densidad de potencia y un comportamiento térmico superior. Además, es universalmente aplicable, es decir, apto para topologías de conmutación dura y suave.

El RVS20N65F/S/PN es un MOSFET de potencia de alto voltaje con canal N en modo de mejora, fabricado con la tecnología DP MOS de Rongtech. Ofrece bajas pérdidas de conducción y de conmutación. Facilita el diseño de convertidores de potencia con alta eficiencia, alta densidad de potencia y un comportamiento térmico superior. Además, es universalmente aplicable, es decir, apto para topologías de conmutación dura y suave.