MOSFET

Descripción del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM50N06PA: Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de entrada de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET presenta un bajo consumo de energía durante su aplicación, lo que también mejora su fiabilidad y durabilidad.

Descripción del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM45N06PA: Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de entrada de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET presenta un bajo consumo de energía durante su aplicación, lo que también mejora su fiabilidad y durabilidad.

Descripción del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM30N20PK: Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de entrada (RDS(on)) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET presenta un bajo consumo de energía durante su uso, lo que también mejora su fiabilidad y durabilidad.

Descripción del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM40N10PA: Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de entrada de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET presenta un bajo consumo de energía durante su uso, lo que también mejora su fiabilidad y durabilidad.

Descripción del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM40N10PK: Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de entrada de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por ello, este MOSFET presenta un bajo consumo de energía durante su uso, lo que también mejora su fiabilidad y durabilidad.

Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET tiene un bajo consumo de energía durante su aplicación, lo que también mejora su confiabilidad y durabilidad.

El RVS35N60PN es un MOSFET de potencia de alto voltaje con modo de mejora de canal, fabricado con tecnología DP MOS de Rongtech. Ofrece bajas pérdidas de conducción y de conmutación. Facilita el diseño de convertidores de potencia con alta eficiencia, alta densidad de potencia y un comportamiento térmico superior. Además, es universalmente aplicable, es decir, apto para topologías de conmutación dura y suave.

El RVS24N60F/PT es un MOSFET de potencia de alto voltaje con modo de mejora de canal N, fabricado con la nueva plataforma de tecnología MOS de Rongtech. Ofrece bajas pérdidas de conducción y de conmutación. Facilita a los ingenieros de diseño la creación de convertidores de potencia con alta eficiencia, alta densidad de potencia y un comportamiento térmico superior. Además, es universalmente aplicable, es decir, apto para topologías de conmutación dura y suave.

El RVS20N65F/S/PN es un MOSFET de potencia de alto voltaje con canal N en modo de mejora, fabricado con la tecnología DP MOS de Rongtech. Ofrece bajas pérdidas de conducción y de conmutación. Facilita el diseño de convertidores de potencia con alta eficiencia, alta densidad de potencia y un comportamiento térmico superior. Además, es universalmente aplicable, es decir, apto para topologías de conmutación dura y suave.