Hoja de datos RVS35N60PN TRANSISTOR DE POTENCIA MOS DP de 35 A y 600 V
- Rongtech
- Porcelana
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- 30000
El RVS35N60PN es un MOSFET de potencia de alto voltaje con modo de mejora de canal, fabricado con tecnología DP MOS de Rongtech. Ofrece bajas pérdidas de conducción y de conmutación. Facilita el diseño de convertidores de potencia con alta eficiencia, alta densidad de potencia y un comportamiento térmico superior. Además, es universalmente aplicable, es decir, apto para topologías de conmutación dura y suave.
Hoja de datos RVS35N60PN TRANSISTOR DE POTENCIA MOS DP DE 35 A Y 600 V CARACTERÍSTICAS
1.35 A, 600 V,
2. Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
3. Cargo de puerta ultrabaja
4. Clasificación periódica de avalanchas
5. Clasificación dv/dt extrema
6. Capacidad de corriente de pico alta
Hoja de datos del transistor de potencia MOS DP de 35 A y 600 V RVS35N60PN
