Hoja de datos del transistor de potencia MOS DP de 20 A y 650 V RVS20N65F/S/PN
- Rongtech
- Porcelana
- 7 días
- 30000
El RVS20N65F/S/PN es un MOSFET de potencia de alto voltaje con canal N en modo de mejora, fabricado con la tecnología DP MOS de Rongtech. Ofrece bajas pérdidas de conducción y de conmutación. Facilita el diseño de convertidores de potencia con alta eficiencia, alta densidad de potencia y un comportamiento térmico superior. Además, es universalmente aplicable, es decir, apto para topologías de conmutación dura y suave.
Hoja de datos del transistor de potencia MOS DP de 20 A y 650 V RVS20N65F/S/PN
1. 20 A, 650 V
2. Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
3. Cargo de puerta ultrabaja
4. Clasificación periódica de avalanchas
5. Clasificación dv/dt extrema
6. Capacidad de corriente de pico alta
Hoja de datos del transistor de potencia MOS DP de 20 A y 650 V RVS20N65F/S/PN
