MOSFET

El RVS47N60P/PT es un MOSFET de potencia de alto voltaje con modo de mejora de canal, fabricado con la nueva plataforma de tecnología MOS de Rongtech. Ofrece bajas pérdidas de conducción y de conmutación. Facilita a los ingenieros de diseño la creación de convertidores de potencia con alta eficiencia, alta densidad de potencia y un comportamiento térmico superior. Además, es universalmente aplicable, es decir, apto para topologías de conmutación dura y suave.

El RVF3878PN es un transistor de efecto de campo MOS de potencia con canal N y modo de mejora, fabricado con tecnología VDMOS de estructura F-Cell™M, propiedad de Rongtec. La celda de banda planar mejorada y el terminal de anillo de guarda mejorados se han diseñado específicamente para minimizar la resistencia en estado activo, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en modo de avalancha y conmutación. Estos dispositivos se utilizan ampliamente en fuentes de alimentación CA-CC, convertidores CC-CC y controladores de motores PM de puente H.

El RVF4N90F/MJ es un transistor de efecto de campo MOS de potencia con canal N y modo de mejora, fabricado con tecnología VDMOS de estructura de celda F patentada por Rongtec. La celda de banda planar mejorada y el terminal de anillo de protección mejorado se han diseñado específicamente para minimizar la resistencia en estado activo, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en modo de avalancha y conmutación. Estos dispositivos se utilizan ampliamente en fuentes de alimentación CA-CC, convertidores CC-CC y controladores de motores PM de puente H.

El RVT10180NT/D es un transistor de efecto de campo MOS de potencia con canal N en modo mejorado, fabricado con tecnología RongteLVMOS. El proceso mejorado y la estructura de celda se han diseñado específicamente para minimizar la resistencia en estado activo y ofrecer un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo se utiliza ampliamente en sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) y gestión de energía de sistemas inversores.

Descripción del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM110N06PK: Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de entrada de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET presenta un bajo consumo de energía durante su uso, lo que también mejora su fiabilidad y durabilidad.

Descripción del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM110N06PA: Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de entrada de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET presenta un bajo consumo de energía durante su aplicación, lo que también mejora su fiabilidad y durabilidad.

Descripción del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM75N08PA: Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de entrada de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET presenta un bajo consumo de energía durante su uso, lo que también mejora su fiabilidad y durabilidad.

Descripción del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM70N06PA: Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de entrada de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET presenta un bajo consumo de energía durante su aplicación, lo que también mejora su fiabilidad y durabilidad.

Descripción del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM60N10PA: Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de entrada de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET presenta un bajo consumo de energía durante su aplicación, lo que también mejora su fiabilidad y durabilidad.