Hoja de datos del RVT10180NT/D MOSFET de canal N de 45 A y 100 V
Hoja de datos del RVT10180NT/D MOSFET de canal N de 45 A y 100 V
- Rongtech
- Porcelana
- 7 días
- 30000
El RVT10180NT/D es un transistor de efecto de campo MOS de potencia con canal N en modo mejorado, fabricado con tecnología RongteLVMOS. El proceso mejorado y la estructura de celda se han diseñado específicamente para minimizar la resistencia en estado activo y ofrecer un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo se utiliza ampliamente en sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI) y gestión de energía de sistemas inversores.
Hoja de datos del RVT10180NT/D MOSFET DE CANAL N DE 45 A Y 100 V CARACTERÍSTICAS
1. 45 A, 100 V, carga de compuerta baja
2. Cargo de entrada bajo
3. Baja Crss
4. Cambio rápido
5. Capacidad dv/dt mejorada
Hoja de datos del MOSFET de canal N de 45 A y 100 V del RVT10180NT/D
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