RM60N10PA MOSFET de potencia de canal N de silicio
RM60N10PA MOSFET de potencia de canal N de silicio
- Rongtech
- Porcelana
- 7 días
- 30000
Descripción del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM60N10PA: Este MOSFET de Rongtech Industry (Shanghai) Inc. cuenta con tecnología avanzada de 6 pulgadas para lograr una resistencia estática de entrada de drenaje a fuente (RDS(on)) extremadamente baja. Por esta razón, este MOSFET presenta un bajo consumo de energía durante su aplicación, lo que también mejora su fiabilidad y durabilidad.
Aplicaciones del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM60N10PA
1. Aplicación de conmutación de potencia
2. Control de motores de CC
3. UPS
Datos del MOSFET de potencia de canal N de silicio RM60N10PA
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