IGBT

Características del módulo MOSFET de SiC RSC300HF170T2NH: pérdida ultrabaja, operación de alta frecuencia, corriente de recuperación inversa cero del diodo, corriente de cola de apagado cero del MOSFET, operación del dispositivo normalmente apagado y a prueba de fallas, fácil conexión en paralelo, placa base de cobre y aislante de nitruro de aluminio.

Características del módulo IGBT RT100P20T6H-M:
1. Puerta de trinchera IGBT de parada de campo
2. Resistencia a cortocircuitos > 10 µs
3. Voltaje de saturación bajo
4. Baja pérdida de conmutación
5. 100 % probado por RBSOA (2 unidades)
6. Baja inductancia parásita
7. Sin plomo, cumple con el requisito RoHS

Características del RTK200HF120BA2 1200 V/200 A 2 en un solo paquete:
1,1200 V 200 A, VCE (sat.) (típico) = 2,1 V
2. Menores pérdidas y mayor energía.
3. Excelente resistencia a cortocircuitos.
Módulo de medio puente de 4,62 mm

Los IGBT de parada de campo de trinchera de 650 V de Rongtech ofrecen bajas pérdidas de conmutación, alta eficiencia energética y alta resistencia a avalanchas para movimiento.
Control, aplicación solar y máquina de soldar.

Características del IGBT de parada de campo de trinchera RGW40N120T1B de 1200 V/40 A:
1. Alto voltaje de ruptura a 1200 V para una mayor confiabilidad.
2.Ofrece tecnología Trench-Stop:
 a. distribución de parámetros muy ajustada
 b. Alta robustez, comportamiento estable a la temperatura.
 c.Tiempo de resistencia al cortocircuito: 10 µs
 d.Alta robustez, estabilidad de temperatura.
 e.Bajo VCE(SAT) > Fácil capacidad de conmutación en paralelo debido al coeficiente de temperatura positivo en VCE(SAT)
3. Mayor capacidad de avalancha

Características del IGBT de parada de campo de trinchera RGW40N120F1A de 1200 V/40 A:
• Alto voltaje de ruptura a 1200 V para una mayor confiabilidad
• Tecnología Trench-Stop que ofrece:
1）Conmutación de alta velocidad
2）Alta robustez, temperatura estable.
3） VCEsat bajo
4）Fácil capacidad de conmutación en paralelo debido al coeficiente de temperatura positivo en VCEsat
• Capacidad mejorada contra avalanchas

Los IGBT de trinchera de parada de campo de Rongtech ofrecen bajas pérdidas de conmutación, alta eficiencia energética y alta robustez ante avalanchas para aplicaciones de conmutación suave como calentamiento inductivo, horno microondas, etc.

Características del módulo IGBT GTS40FB120T5HB:
· Clasificación de cortocircuito >10us
· Voltaje de saturación bajo: VCE (sat) = 2,15 V a Ic = 40 A, Tc = 25 °C
· Baja pérdida de conmutación
· 100% probado con RBSOA (2x|c)
· Baja inductancia parásita
· Sin plomo, cumple con el requisito RoHS

Características del PIM de 1200 V/25 A en un solo paquete
• Tecnología IGBT Trench + Filed Stop
• Capacidad de cortocircuito de 10us
• VcE(sat) con coeficiente de temperatura positivo
• Caja de baja inductancia
• Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparalelo
• Placa base de cobre aislada mediante tecnología DBC