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módulo igbt rt100p20t6h-m

módulo igbt rt100p20t6h-m

Módulo IGBT RT100P20T6H-M

Características del módulo IGBT RT100P20T6H-M:
1. Puerta de trinchera IGBT de parada de campo
2. Resistencia a cortocircuitos > 10 µs
3. Voltaje de saturación bajo
4. Baja pérdida de conmutación
5. 100 % probado por RBSOA (2 unidades)
6. Baja inductancia parásita
7. Sin plomo, cumple con el requisito RoHS

Módulo IGBT RT100P20T6H-M
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