IGBT
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Módulo IGBT RTS600HF120T9H
Características del módulo IGBT RTS600HF120T9H: clasificación de cortocircuito > 10us, voltaje de saturación bajo: VCe (sat) = 1,85 V a Ic = 600 A, Tc = 25 °C, pérdida de conmutación baja, 100% RBSOA probado (2x|c), baja inductancia parásita, sin plomo, cumple con el requisito de RoHS.
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Módulo IGBT RTR600HF170T9H
Características del módulo IGBT RTR600HF170T9H: IGBT de compuerta de trinchera de parada de campo, clasificación de cortocircuito > 10 us, bajo voltaje de saturación, baja pérdida de conmutación, 100% probado RBSOA (2xlc), baja inductancia parásita, sin plomo, cumple con el requisito RoHS.
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Módulo IGBT RTM800FF65HP2S
Características del módulo IGBT RTM800FF65HP2S: Base calificada para automoción en AC_Q101, IGBT de compuerta de trinchera de parada de campo, tensión de apagado mejorada, clasificación de cortocircuito> 10us, voltaje de saturación bajo, pérdida de conmutación baja, 100% RBSOA probado (2x|c), placa base AISiC, baja inductancia parásita, sin plomo, cumple con el requisito de RoHS.
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Módulo IGBT RTM600FF75C8S
Características del módulo IGBT RTM600FF75C8S: base calificada para automoción en AEC Q101, IGBT de compuerta de trinchera de parada de campo, estrés de voltaje de apagado mejorado, clasificación de cortocircuito > 10 us, voltaje de saturación bajo, pérdida de conmutación baja, 100% RBSOA probado (2x|c), placa base AISiC, baja inductancia parásita, sin plomo, cumple con el requisito RoHS.
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Módulo IGBT RIM400FF120B8S
Características del módulo IGBT RIM400FF120B8S: base calificada para automoción en AEC Q101, IGBT de parada de campo y zanja, clasificación de cortocircuito > 10 us, baja pérdida de conmutación, 100 % probado por RBSOA (2xIc), placa base AlSiC, baja inductancia parásita, sin plomo, cumple con los requisitos de RoHS.
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Módulo IGBT RTM400FF75A8H
Características del módulo IGBT RTM400FF75A8H: IGBT de compuerta de trinchera de parada de campo, clasificación de cortocircuito > 10 us, bajo voltaje de saturación, baja pérdida de conmutación, 100% RBSOA probado (2xIc), baja inductancia parásita, sin plomo, cumple con el requisito RoHS.
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Interruptores individuales RTK600HF120BA2 de 1200 V/600 A
Características de los interruptores simples RTK600HF120BA2 1200V/600A: 1200 V 600 A, VCE (sat.) (típico) = 2,1 V, menores pérdidas y mayor energía, excelente resistencia a cortocircuitos, módulo único de 62 mm.
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Interruptores individuales RTK400HF120BA2 de 1200 V/400 A
Características de los interruptores simples RTK400HF120BA2 1200V/400A: 1200 V 400 A, VCE (sat.) (típico) = 2,1 V, menores pérdidas y mayor energía, excelente resistencia a cortocircuitos, módulo único de 62 mm.
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RTK300HF120BA2 1200 V/300 A 2 en un paquete
RTK300HF120BA2 1200 V/300 A 2 en un paquete características: 1200 V 300 A, VCE (sat.) (típico) = 2,1 V, menores pérdidas y mayor energía, excelente resistencia a cortocircuitos, módulo de medio puente de 62 mm.
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