A medida que la industria automotriz avanza rápidamente hacia la electrificación, los sistemas de gestión de baterías (BMS) se han convertido en la columna vertebral de los vehículos eléctricos (VE), los vehículos eléctricos híbridos (VEH) y los vehículos híbridos enchufables (VEHE). Entre los componentes clave que garantizan la seguridad, la eficiencia y la durabilidad, los sensores desempeñan un papel indispensable. Estos monitorizan parámetros críticos como el voltaje, la corriente, la temperatura y el estado de carga (SoC), lo que permite la toma de decisiones en tiempo real y la implementación de mecanismos de protección. Este artículo explora los tipos de sensores utilizados en los sistemas de gestión de carrocería (BMS), sus funciones y su impacto en el rendimiento y la seguridad de los vehículos eléctricos.

Los sensores de corriente son componentes esenciales en los sistemas eléctricos modernos, ya que permiten la medición precisa del flujo de corriente para su monitorización, control y protección. Entre los distintos tipos, los sensores de corriente de lazo abierto (también conocidos como sensores de lazo abierto basados ​​en transformador o de efecto Hall) son ampliamente utilizados debido a su simplicidad, rentabilidad y fiabilidad. Este artículo técnico explica el funcionamiento de los sensores de corriente de lazo abierto, sus principales ventajas y sus aplicaciones típicas.

La industria electrónica global está experimentando una rápida transformación, impulsada por los avances en energías renovables, movilidad eléctrica, automatización industrial y sistemas de comunicación de última generación. En este panorama, componentes críticos como las resistencias de película gruesa no inductivas de alta potencia y los sensores de corriente de efecto Hall de bucle cerrado están llamados a desempeñar un papel fundamental. Este artículo explora las tendencias emergentes, las innovaciones tecnológicas y la dinámica del mercado que configuran el futuro de estos productos, con el foco puesto en el horizonte 2025-2030.

El auge de los semiconductores de banda ancha (SiC/GaN) y la infraestructura de carga ultrarrápida exigirán sensores con mayores anchos de banda (>500 kHz) y mayor resiliencia térmica. La integración con interfaces digitales (I²C, SPI) y diagnósticos integrados (p. ej., autocalibración, informe de fallos) optimizará aún más el diseño de sistemas. Las innovaciones en núcleos magnéticos nanocristalinos y elementos Hall basados ​​en MEMS podrían llevar la precisión más allá del ±0,05 %.