rt4agp907_fcp910
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RT4AGP907_FCP910
RT4AGP907 y RTAGECP910 son diodos PIN de chip invertido de arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs). Estos dispositivos se fabrican en obleas epitaxiales OMCVD mediante un proceso optimizado para lograr una alta uniformidad del dispositivo y una parásita excepcionalmente baja. El resultado es un diodo con una RC extremadamente baja.
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Producto. Características de conmutación de 0,1 ps y 2_3 ns. Están completamente pasivados con nitruro de silicio y cuentan con una capa de polímero adicional para protección contra rayaduras. El recubrimiento protector evita daños en la unión y el puente de aire del ánodo durante la manipulación y el montaje.
