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Módulo MOSFET de SiC de datos RSC300HF170T2NH

Módulo MOSFET de SiC de datos RSC300HF170T2NH

Módulo MOSFET de SiC de datos RSC300HF170T2NH

Marca Rongtech
El origen de los productos porcelana
El tiempo de entrega 7 días
La capacidad de oferta 30000

Características del módulo MOSFET de SiC de datos RSC300HF170T2NH:
• Pérdida ultrabaja
• Operación de alta frecuencia
• Corriente de recuperación inversa cero del diodo
• Corriente de cola de apagado cero del MOSFET
• Operación del dispositivo normalmente apagado y a prueba de fallos
• Facilidad de paralelismo
• Placa base de cobre y aislante de nitruro de aluminio

Aplicaciones del módulo MOSFET de SiC de datos RSC300HF170T2NH:

1. Convertidores/inversores resonantes de alta frecuencia

2. Controladores de motor

3. Inversores solares y eólicos

4. UPS y SMPS

5. Tracción

Datos del módulo MOSFET de SiC RSC300HF170T2NH

RSC300HF170T2NH Data SiC MOSFET Module

RSC300HF170T2NH Data SiC MOSFET Module

RSC300HF170T2NH Data SiC MOSFET Module

RSC300HF170T2NH Data SiC MOSFET Module

RSC300HF170T2NH Data SiC MOSFET Module

RSC300HF170T2NH Data SiC MOSFET Module

RSC300HF170T2NH Data SiC MOSFET Module

RSC300HF170T2NH Data SiC MOSFET Module

RSC300HF170T2NH Data SiC MOSFET Module

RSC300HF170T2NH Data SiC MOSFET Module

producto del tag:

Módulo MOSFET de SiC de datos RSC300HF170T2NH

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