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17-05-2025
Sensor de efecto Hall de bucle cerrado
El auge de los semiconductores de banda ancha (SiC/GaN) y la infraestructura de carga ultrarrápida exigirán sensores con mayores anchos de banda (>500 kHz) y mayor resiliencia térmica. La integración con interfaces digitales (I²C, SPI) y diagnósticos integrados (p. ej., autocalibración, informe de fallos) optimizará aún más el diseño de sistemas. Las innovaciones en núcleos magnéticos nanocristalinos y elementos Hall basados en MEMS podrían llevar la precisión más allá del ±0,05 %.
